Эта публикация цитируется в 49 статьях

Обзоры

Инженерия дефектов в имплантационной технологии кремниевых светоизлучающих структур с дислокационной люминесценцией. Обзор

Н. А. Соболев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Обобщаются результаты по развитию физических основ технологии, основанной на ионной имплантации, для разработки кремниевых светоизлучающих структур с дислокационной люминесценцией на область длин волн вблизи $\sim$1.6 мкм. Развитие концепции инженерии дефектов в технологии полупроводниковых приборов позволило установить закономерности процесса образования дефектов и выявить особенности, возникающие в спектрах излучения при изменении условий имплантации ионов Er, Dy, Ho, O, Si и последующего отжига, и создавать светоизлучающие структуры с желательным спектром люминесцентных центров и протяженных структурных дефектов. Найдены технологические условия, при которых в светоизлучающем слое вводится только один тип протяженных структурных дефектов (петли Франка, совершенные призматические петли или чисто краевые дислокации), что позволило исследовать корреляцию между концентрацией протяженных дефектов определенного типа и интенсивностью линий дислокационной люминесценции. Выявлена определяющая роль собственных точечных решеточных дефектов в зарождении и трансформации протяженных структурных дефектов и люминесцентных центров, ответственных за дислокационную люминесценцию. Установлено, что эффективность возбуждения люминесценции представляющих наибольший интерес для практического применения так называемых центров D1 изменяется более чем на 2 порядка в структурах, приготовленных разными технологическими методами. Изготовлены высокоэффективные кремниевые светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре.

Поступила в редакцию: 09.04.2009
Принята в печать: 14.04.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:1, 1–23

Реферативные базы данных:

•