Аннотация:
На основании анализа низкотемпературных спектров стимулированной эмиссии делаются выводы о величине эффекта сужения запрещенной зоны $\Delta E_{\mathrm{BGN}}$ в вырожденных, $n\sim$10$^{19}$ см$^{-3}$, эпитаксиальных пленках InGaN с долей индия $\sim$60% в условиях интенсивного фотовозбуждения. Величина $d(\Delta E_{\mathrm{BGN}})/dn$ превышает 2 мэВ/10$^{17}$ см$^{-3}$ и определяется, по-видимому, преимущественно кулоновским взаимодействием вырожденных (равновесных) электронов и неравновесных дырок, локализованных в неоднородностях зонного потенциала. Соответствующая поправка к ширине запрещенной зоны заметно превышает вклад обменного взаимодействия электронов, а суммарный эффект перекомпенсирует заливку электронных состояний (эффект Бурштейна–Мосса) и обеспечивает красный сдвиг линии генерации при большей интенсивности накачки. Это напрямую определяет особенности конкуренции модового усиления и потерь в объемных пленках In(Ga)N. Полученные результаты могут быть спроецированы и на перспективные низкоразмерные структуры для излучателей красного диапазона с квантовыми ямами на основе InGaN “средних” составов.
Полный текст:
PDF файл (606 kB)