Обзоры

Халькогенидные стеклообразные полупроводники в устройствах памяти и обработки информации (Обзор)

А. В. Колобов^ab, П. И. Лазаренко<sup>bc

a</sup> Институт физики, Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, 191186 Санкт-Петербург, Россия
^b НИИ физических исследований, Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, 191186 Санкт-Петербург, Россия
^c Лаборатория "Материалы и устройства активной фотоники", Национальный исследовательский университет МИЭТ, 124498 Москва, Зеленоград, Россия

Аннотация: Открытие в 1955 году Б.Т. Коломийцем и Н.А. Горюновой полупроводниковых свойств халькогенидных стекол положило начало эре аморфных полупроводников. Настоящий обзор посвящен фазопеременным халькогенидам, которые в настоящее время нашли широкое применение в устройствах записи и обработки информации. После исторического введения рассматриваются структура и свойства этих материалов, а также современные взгляды на механизм обратимого фазового перехода между аморфным и кристаллическим состояниями и природу формирования контраста свойств между ними. Далее следует описание коммерческих устройств оптической и электронной энергонезависимой памяти. В конце обзора обсуждаются современные тенденции исследований и применений фазопеременных халькогенидов, в частности, в устройствах 3D XPoint памяти на основе порогового переключателя Овшинского, а также в электронных и фотонных нейроморфных сетях.

Ключевые слова: халькогенидные стеклообразные полупроводники, фазопеременные материалы, эффект памяти, пороговый переключатель Овшинского, оптические диски, электронная энергонезависимая память, 3D XPoint память, нейроморфные сети.

Поступила в редакцию: 09.11.2025
Исправленный вариант: 17.11.2025
Принята в печать: 17.11.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.09.62222.8784