Эта публикация цитируется в 1 статье

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Перераспределение компонентов в системе ниобий–кремний при высокотемпературном протонном облучении

Н. Н. Афонин, В. А. Логачева, А. М. Ховив

Воронежский государственный университет

Аннотация: Исследовано перераспределение компонентов в системе ниобий–кремний в процессе магнетронного распыления ниобия, вакуумного отжига и высокотемпературного протонного облучения. Установлено, что в ходе магнетронного распыления и последующего вакуумного отжига кремний проникает через пленку металла на ее внешнюю границу. При высокотемпературном протонном облучении наблюдается подавление диффузии ниобия в кремний, что объясняется наличием высокой концентрации радиационных вакансий в области межфазной границы Nb/Si.

Поступила в редакцию: 17.05.2011
Принята в печать: 30.05.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:12, 1617–1619

Реферативные базы данных:

•