Эта публикация цитируется в 6 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Применение имплантации ионов кремния для формирования структурно-совершенных слоев кремния на сапфире

В. М. Воротынцев^a, Е. Л. Шоболов^b, В. А. Герасимов<sup>b

a</sup> Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева
^b Научно-производственный центр Научно-исследовательского института измерительных систем им. Ю.Е. Седакова, 603137 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Приведены результаты исследований метода улучшения кристаллической структуры эпитаксиального слоя кремния на сапфировой подложке путем его предварительной аморфизации высокоэнергетическими ионами кремния и последующего восстановления (твердофазной рекристаллизации) до структурно-совершенного монокристаллического состояния. Проведен сравнительный анализ структурных и электрофизических параметров композиций “кремний на сапфире” до и после твердофазной рекристаллизации.

Поступила в редакцию: 28.04.2011
Принята в печать: 16.05.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:12, 1600–1603

Реферативные базы данных:

•