Физика полупроводниковых приборов

Влияние профиля легирования на характеристики ионно-легированного полевого GaAs-транзистора с затвором Шоттки

А. К. Шестаков, К. С. Журавлев

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Проведено моделирование арсенид-галлиевого ионно-легированного транзистора с затвором Шоттки. Найден профиль легирования, полученный при легировании через диэлектрическую маску, рассчитаны и проанализированы зависимости статических характеристик транзистора от параметров профиля легирования. Исследованы физические процессы, определяющие характеристики транзистора при изменении параметров его профиля легирования и коэффициента компенсации подложки. На основе расчетов предсказаны оптимальные параметры профиля легирования, которые обеспечивают наилучшие характеристики транзистора.

Поступила в редакцию: 19.05.2011
Принята в печать: 30.05.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:12, 1589–1599

Реферативные базы данных:

•