Эта публикация цитируется в 2 статьях

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Исследование структуры аморфной полупроводниковой системы As–Se релаксационными методами

Р. А. Кастро, В. А. Бордовский, Г. И. Грабко, Т. В. Татуревич

Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены результаты комплексного исследования релаксации темнового тока в длинновременной области МДМ структуры на основе тонкопленочной халькогенидной системы As–Se. Оценены значения параметров, характеризующих электронные процессы, происходящие в приконтактных слоях исследуемых соединений. Обнаружено совпадение природы механизмов проводимости и накопления заряда. Вычислена функция распределения времен релаксации и установлена ее структурная чувствительность к таким технологическим факторам, как изменение стехиометрии состава и способа изготовления экспериментальных образцов.

Поступила в редакцию: 24.05.2011
Принята в печать: 01.06.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:12, 1583–1588

Реферативные базы данных:

•