Аннотация:
Проведены электронно-микроскопические исследования структур GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, содержащих два слоя сопряженных полупроводниковых квантовых точек InAs, заращенных тонким буферным слоем GaAs и слоем низкотемпературного арсенида галлия. При последующем отжиге в слое низкотемпературного GaAs формировался массив нановключений (металлических квантовых точек) As. Изучено изменение микроструктуры образцов в зависимости от температуры и условий отжига. Установлено, что при относительно низких температурах отжига (400–500$^\circ$С) формирование массива металлических квантовых точек As слабо зависит от наличия полупроводниковых квантовых точек InAs в предшествующих слоях. Металлические квантовые точки As имеют при этом характерный размер около 2–3 нм после отжига при 400$^\circ$C и 4–5 нм после отжига при 500$^\circ$С в течение 15 мин. Отжиг при 600$^\circ$С в течение 15 мин в ростовой установке приводит к укрупнению металлических квантовых точек As до 8–9 нм и формированию групп таких точек в области низкотемпературного GaAs, непосредственно прилегающей к отделенным буферным слоям полупроводниковых квантовых точек InAs. Более длительный отжиг при повышенной температуре (760$^\circ$С) в атмосфере водорода вызывает дальнейшее увеличение размеров металлических квантовых точек As до 20–25 нм и их пространственное смещение в область между сопряженными полупроводниковыми квантовыми точками InAs.
Поступила в редакцию: 16.06.2011 Принята в печать: 20.06.2011
Полный текст:
PDF файл (384 kB)
