Эта публикация цитируется в 11 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Нитридная химическая паcсивация поверхности GaAs (100): влияние на электрические характеристики поверхностно-барьерных структур Au/GaAs

В. Л. Берковиц, Т. В. Львова, В. П. Улин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследовалось влияние химической нитридизации подложек GaAs в гидразин-сульфидном растворе на электрические характеристики поверхностно-барьерных структур Au/GaAs. При такой нитридизации на поверхности GaAs формируется сплошная пассивирующая пленка нитрида галлия монослойной толщины, которая обеспечивает практически прямой контакт полупроводника с наносимым на него металлом. Структуры Au/GaAs, изготовленные на нитридизированных подложках, имеют коэффициенты идеальности, близкие к единице, и характеризуются также малым разбросом значений высоты потенциального барьера. Продолжительный прогрев таких структур при 350$^\circ$C не меняет значений указанных параметров. Полученные результаты показывают, что нитридный монослой, формируемый на поверхности GaAs при обработке в гидразин-сульфидных растворах, эффективно препятствует миграции атомов через межфазную границу металл-полупроводник.

Поступила в редакцию: 24.05.2011
Принята в печать: 01.06.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:12, 1575–1579

Реферативные базы данных:

•