Г. А. Сукач, В. В. Кидалов, “Перемещение границы $p$–$n$-перехода в GaAs : Si при гиратронном облучении”, Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 12,страницы 1633

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Перемещение границы $p$–$n$-перехода в GaAs : Si при гиратронном облучении

Г. А. Сукач^a, В. В. Кидалов^b

^a Национальный университет биоресурсов и природопользования Украины, 03041 Киев, Украина
^b Бердянский государственный педагогический университет

Аннотация: Показано, что с помощью гиратронного облучения возможно управление положением $p$–$n$-перехода в уже изготовленной светоизлучающей структуре. Сдвиг компенсированной области излучающей структуры на основе GaAs : Si, обусловлен движением примесей в поле термоупругих напряжений, появляющихся в процессе остывания образцов после гиратронного облучения.

Поступила в редакцию: 17.05.2011
Принята в печать: 01.06.2011