Электронные свойства полупроводников

Фотопьезоэлектрическое индуцирование резонансных акустических волн в монокристаллах полуизолирующего арсенида галлия

В. И. Митрохин, С. И. Рембеза, Р. Н. Антонов

Воронежский государственный технический университет

Аннотация: В монокристаллах полуизолирующего арсенида галлия исследован эффект возбуждения резонансных акустических волн при помощи световых импульсов. Максимум амплитуды возбуждаемых упругих колебаний наблюдался в температурном интервале, где одновременно имеют место малые значения внутреннего трения и электропроводности полупроводника. Эффект связан с обратным пьезоэлектрическим преобразованием энергии объемной фотоэдс в механическую деформацию полупроводникового кристалла. Результаты исследований могут быть использованы для создания полупроводниковых фотоприемников с высокой селективностью по частоте модуляции.

Поступила в редакцию: 17.05.2011
Принята в печать: 24.05.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:12, 1550–1554

Реферативные базы данных:

•