Эта публикация цитируется в 4 статьях

Электронные свойства полупроводников

Влияние давления на электронный спектр арсенида индия

И. К. Камилов, С. Ф. Габибов, М. И. Даунов, А. Ю. Моллаев

Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, 367003 Махачкала, Россия

Аннотация: По данным о зависимостях коэффициента Холла и удельного сопротивления в объемных кристаллах $n$-, $p$-InAs и $p$-InAs $\langle$Mn$\rangle$ от гидростатического давления до 9 ГПа при 77 и 300 K исследована эволюция энергетического спектра электронов при изотропном сжатии кристаллической решетки. Определены энергетические промежутки между уровнями энергии мелких, глубоких и глубоких резонансных примесных центров, а также краями собственных зон и коэффициенты давления энергетических промежутков.

Поступила в редакцию: 12.04.2011
Принята в печать: 16.05.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:12, 1543–1549

Реферативные базы данных:

•