Эта публикация цитируется в 4 статьях

Электронные свойства полупроводников

Токи, ограниченные пространственными зарядами в халькогенидной стеклообразной полупроводниковой системе Se$_{95}$As$_5$, содержащей примеси EuF$_3$

А. И. Исаев, С. И. Мехтиева, С. Н. Гарибова

Институт физики им. Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана, AZ-1143 Баку, Азербайджан

Аннотация: Установлено, что перенос носителей заряда (дырок) в структуре Al–Se$_{95}$As$_5\langle$EuF$_3\rangle$-Te осуществляется по механизму токов монополярной инжекции, ограниченных пространственными зарядами, при участии двух групп ловушек захвата: мелкие, соответствующие заряженным собственным дефектам $C_1^-$, обусловленные оборванными связями селена, и глубокие, соответствующие также заряженным собственным дефектам $P_2^-$, создаваемым атомами мышьяка с нарушенной координацией. Показано, что примесь EuF$_3$ сильно влияет на концентрацию ловушек захвата, причем в основном влияет на ловушки, расположенные около уровня Ферми.

Поступила в редакцию: 14.03.2011
Принята в печать: 29.04.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:12, 1538–1542

Реферативные базы данных:

•