Эта публикация цитируется в 1 статье

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Деформация поверхности арсенида галлия в процессе осаждения золота

Т. А. Брянцева, Д. В. Любченко, И. А. Марков, Ю. А. Тен

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Аннотация: Изучены явления деформации приповерхностных слоев арсенида галлия с помощью поверхностных акустических волн в процессе осаждения золота и облучения поверхности полупроводника светом разогретого испарителя. Показано, что в случае осаждения золота в результате фазовых превращений в системе Au–Ga–As происходит пластификация приповерхностных слоев, тогда как при облучении светом поверхности GaAs – формирование крупнозернистого слоя оксида с жидкоподобными прослойками. В результате изменяются вид деформаций поверхности и время их релаксации. Интегральные временные характеристики поверхностной акустической волны, такие как интегралы изменения ее скорости и рассеянной мощности, отражают протекающие на поверхности процессы в режиме реального времени. Суммарно они отображают текущую величину результирующей деформации. Определены параметры протекающих процессов, такие как величина энергии активации и времена релаксации.

Поступила в редакцию: 28.04.2011
Принята в печать: 16.05.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:12, 1525–1530

Реферативные базы данных:

•