Эта публикация цитируется в 3 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Квантово-химические исследования адсорбции молекул изопропилового спирта на поверхности GaAs (100)

М. В. Лебедев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Квантово-химические кластерные расчеты в рамках теории функционала плотности использованы для исследования механизма адсорбции молекул изопропилового спирта на галлиевой поверхности GaAs (100). Показано, что на поверхности GaAs (100) может происходить либо молекулярная, либо диссоциативная адсорбция изопропилового спирта. Диссоциация молекулы спирта на поверхности GaAs (100) может происходить как с разрывом связи O–H, так и с разрывом связи C–OH. Состояние с разрывом связи C–OH имеет наименьшую энергию из всех возможных состояний адсорбции, но для перехода в это состояние необходимо преодолеть очень высокий барьер, что возможно только на границе полупроводник/жидкость. Рассчитанная траектория реакции адсорбции соответствует имеющимся экспериментальным данным по взаимодействию изопропилового спирта с поверхностью GaAs (100).

Поступила в редакцию: 03.03.2011
Принята в печать: 31.05.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:11, 1519–1523

Реферативные базы данных:

•