Эта публикация цитируется в 1 статье

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Сравнение гомоэпитаксиального роста кристаллов AIN на Al- и N-поверхностях

А. А. Вольфсон, Е. Н. Мохов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: С помощью специальной экспериментальной методики, позволяющей исключить влияние различий источников, кристаллов-подложек и параметров ростового процесса, проведено корректное сравнение качества гомоэпитаксиальных слоев AlN, выращенных методом сублимации на Al- и N-поверхностях кристалла-подложки, имеющего ориентацию $\langle$0001$\rangle$. Установлено, что в большинстве случаев качество слоев, выращенных на N-поверхности несколько выше, однако в отдельных случаях никакого различия не наблюдалось. Отсюда можно заключить, что окно параметров ростового процесса для N-стороны существенно больше, чем для Al-стороны.

Поступила в редакцию: 17.05.2011
Принята в печать: 21.05.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:11, 1517–1518

Реферативные базы данных:

•