RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 11, страницы 1564–1570 (Mi phts8692)

Эта публикация цитируется в 16 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Влияние длительного хранения и напряжения прямой полярности на кпд пленочных солнечных элементов на основе CdS/CdTe

Г. С. Хрипунов, В. Р. Копач, А. В. Мериуц, Р. В. Зайцев, М. В. Кириченко, Н. В. Дейнеко

Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт"

Аннотация: Методами вольт-амперной и вольт-фарадной характеристик исследованы влияние хранения в течение 48 месяцев и последующего воздействия напряжения прямой полярности на эффективность работы пленочных солнечных элементов с исходной слоистой структурой $n^+$-ITO/$n$-CdS/$p$-CdTe/Cu/Au. На основании полученных результатов усовершенствована физическая модель деградации солнечных элементов такого типа под влиянием указанных факторов. Экспериментально определены условия, при которых возможно частичное восстановление кпд подобных солнечных элементов после их деградации путем выдержки при комнатной температуре под напряжением прямого смещения $n$$p$-гетероперехода, меньшем, чем напряжение холостого хода.

Поступила в редакцию: 10.05.2011
Принята в печать: 15.05.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:11, 1505–1511

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026