А. А. Петухов, Н. Д. Ильинская, С. С. Кижаев, Н. Д. Стоянов, Ю. П. Яковлев, “Влияние температуры на электролюминесцентные свойства flip-chip светодиодов среднего ИК-диапазона ($\lambda_{\mathrm{max}}\approx$ 3.4 мкм) на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP”, Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 11,страницы 1560

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Влияние температуры на электролюминесцентные свойства flip-chip светодиодов среднего ИК-диапазона ($\lambda_{\mathrm{max}}\approx$ 3.4 мкм) на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP

А. А. Петухов, Н. Д. Ильинская, С. С. Кижаев, Н. Д. Стоянов, Ю. П. Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Приведены результаты исследования зависимости электрических и электролюминесцентных свойств флип-чип светодиода на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP ($\lambda\approx$ 3.37 мкм) от температуры (20–200$^\circ$C). Показано, что протекание тока через светодиод определяется туннельно-рекомбинационным (прямое смещение) и диффузионным (обратное смещение) механизмами. Максимум спектра излучения определяется рекомбинацией зона-зона. При нагреве светодиода вследствие уменьшения ширины запрещенной зоны арсенида индия спектр излучения смещается в область больших длин волн. Уменьшение мощности излучения с увеличением температуры носит сверхэкспоненциальный характер и обусловлено главным образом ростом скорости оже-рекомбинации.

Поступила в редакцию: 27.04.2011
Принята в печать: 11.05.2011