Полевая зависимость низкотемпературной кинетики парной рекомбинации в аморфных материалах

В. И. Архипов, В. Р. Никитенко, А. И. Руденко


Аннотация: Работа посвящена теоретическому анализу зависимости кинетики парной (геминальной) рекомбинации в аморфных материалах от напряженности электрического поля в области низких температур. Рассмотрение проводится в рамках онзагеровского механизма парной рекомбинации с использованием модели многократного захвата носителей на распределенные по энергии локализованные состояния. Получено аналитическое решение «дисперсионного» уравнения Смолуховского, описывающее пространственно-временно́е распределение плотности носителей в пар. Это решение позволило проанализировать полевую зависимость низкотемпературной кинетики фототока и плотности носителей. Показано, что в случае не слишком высокой напряженности поля фототок на длительном интервале времени оказывается отрицательным (направленным против внешнего однородного электрического поля).