Физика полупроводниковых приборов

Технологические особенности электронного облучения Si $p^+$–$n$–$n^+$-диодов при повышенных температурах

И. Г. Марченко, Н. Е. Жданович

Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, 22072 Минск, Беларусь

Аннотация: Изучено поведение времени жизни неравновесных носителей заряда $\tau_{\mathrm{p}}$, обратного тока $I_{\mathrm{R}}$ и прямого падения напряжения $U_{\mathrm{F}}$ в электронно-облученных ($E_{\mathrm{irr}}$ = 6 МэВ) промышленных $p^+$–$n$–$n^+$-диодах при температурах облучения в интервале $T_{\mathrm{irr}}$ = 20–400$^\circ$C. Исследования проводились на образцах, изготовленных на монокристаллическом Si, легированном фосфором в процессе выращивания по Чохральскому (КЭФ) и с помощью ядерных реакций (КОФ). Показано, что путем выбора температурного режима технологического облучения, можно решить проблему достижения малых значений $\tau_{\mathrm{p}}$ при минимальном росте $U_{\mathrm{F}}$ и $I_{\mathrm{R}}$ в быстродействующих диодах. Установлено, что при сопоставимых изменениях величины $\tau_{\mathrm{p}}$ в базовом слое диодов, наилучшее соотношение $U_{\mathrm{F}}$ и $I_{\mathrm{R}}$ в образцах на КЭФ наблюдается при $T_{\mathrm{irr}}$ = 300$^\circ$C, а в образцах на КОФ – при $T_{\mathrm{irr}}$ = 350$^\circ$C.

Поступила в редакцию: 14.04.2011
Принята в печать: 29.04.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:11, 1489–1493

Реферативные базы данных:

•