RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 11, страницы 1542–1548 (Mi phts8688)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Углеродные системы

Структурирование субмонослойных углеродных покрытий, осажденных в СВЧ плазме низкого давления на монокристаллическом кремнии

В. Я. Шаныгин, Р. К. Яфаров

Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Аннотация: Изучены особенности поверхностного структурирования субмонослойных углеродных покрытий, осажденных в высокоионизованной сверхвысокочастотной плазме низкого давления на пластины кремния с кристаллографическими ориентациями (111) и (100). Установлено, что размер, форма и поверхностная плотность наноструктурных углеродных образований определяются атомной микроструктурой свободной поверхности кремния заданных кристаллографических ориентаций и ее модификацией в зависимости от условий осаждения и отжига. Показана принципиальная возможность получения интегральных столбчатых наноструктур с поверхностной плотностью до (4–5) $\cdot$ 10$^9$ см$^{-2}$ и высотой свыше 400 нм в результате высокоанизотропного травления с использованием полученных углеродных островковых нанообразований в качестве масочного покрытия на монокристаллическом кремнии ориентации (100).

Поступила в редакцию: 12.04.2011
Принята в печать: 18.04.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:11, 1483–1488

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026