С. И. Рембеза, П. Е. Воронов, Б. М. Синельников, Е. С. Рембеза, “Синтез, структура и электрические свойства нанокомпозита (SnO$_2$)$_x$(In$_2$O$_3$)$_{1-x}$ ($x$ = 0.5–1)”, Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 11,страницы 1538

Эта публикация цитируется в 1 статье

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Синтез, структура и электрические свойства нанокомпозита (SnO$_2$)$_x$(In$_2$O$_3$)$_{1-x}$ ($x$ = 0.5–1)

С. И. Рембеза^a, П. Е. Воронов^b, Б. М. Синельников^b, Е. С. Рембеза^a

^a Воронежский государственный технический университет, 394026 Воронеж, Россия
^b Северо-Кавказский государственный технический университет, 355029 Ставрополь, Россия

Аннотация: Приведены экспериментальные результаты синтеза тонких пленок (толщиной $<$ 1 мкм) нанокомпозитов (SnO$_2$)$_x$(In$_2$O$_3$)$_{1-x}$ с $x$ = 0.5–1 по массе, изготовленных методом высокочастотного магнетронного распыления металлооксидных мишеней в контролируемой атмосфере Ar+O$_2$. Пленки, нанесенные на горячую подложку (400$^\circ$C), исследовались методами рентгенофазового анализа, атомно-силовой микроскопии, оптическими и электричеcкими методами. Установлено влияние режимов синтеза и состава пленок на размер кристаллических зерен, ширину запрещенной зоны, концентрацию и подвижность свободных носителей заряда. Показано, что пленки состава (SnO$_2$)$_x$(In$_2$O$_3$)$_{1-x}$ с $x$ = 0.9 наиболее перспективны для применения в газовой сенсорике.

Поступила в редакцию: 20.04.2011
Принята в печать: 29.04.2011