Эта публикация цитируется в 5 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Фотопроводимость пленок PbTe(In) с варьируемой микроструктурой

В. И. Черничкин^a, А. А. Добровольский^a, З. М. Дашевский^b, В. А. Касиян^b, В. В. Бельков^c, С. Д. Ганичев^c, С. Н. Данилов^c, Л. И. Рябова^a, Д. Р. Хохлов<sup>a

a</sup> Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
^b Университет Бен-Гуриона, 84105 Бир Шева, Израиль
^c Университет Регенсбурга, D-93053 Регенсбург, Германия

Аннотация: В работе показано, что микроструктура и особенности формирования поверхностных состояний в нано- и поликристаллических пленках PbTe(In) наиболее существенно влияют на характер фотопроводимости в области спектра 1–2.5 ТГц. Представлены результаты исследования и сравнительного анализа характера проводимости пленок PbTe(In) в области температур от 4.2 до 300 K в статическом режиме и в переменных электрических полях с частотой до 1 МГц, при подсветке белым светом и под действием импульсов мощных терагерцовых лазеров с длиной волны до 280 мкм.

Поступила в редакцию: 20.04.2011
Принята в печать: 29.04.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:11, 1474–1478

Реферативные базы данных:

•