Эта публикация цитируется в 2 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Поляризационные характеристики поверхноcтного плазмонного резонанса в нанокластерных пленках SnO$_2$

В. С. Гриневич^a, Л. С. Максименко^b, И. Е. Матяш^b, О. Н. Мищук^b, С. П. Руденко^b, Б. К. Сердега^b, В. А. Смынтына^c, Л. Н. Филевская<sup>c

a</sup> Одесский государственный университет им. И. И. Мечникова
^b Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
^c Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова

Аннотация: Методом поляризационной модуляции электромагнитного излучения исследованы особенности внутреннего отражения, обусловленные поверхностным плазмонным резонансом в наноразмерных пленках, содержащих кластеры дефектного диоксида олова в диэлектрической матрице стехиометрического состава. В диапазоне длин волн $\lambda$ = 400–1600 нм измерены угловые и спектральные характеристики коэффициентов отражения $R^2_s$ и $R^2_p$ излучения $s$- и $p$-поляризации и их поляризационной разности $\rho=R^2_s-R^2_p$. Полученные экспериментальные характеристики $\rho(\theta,\lambda)$ ($\theta$ – угол падения излучения) отражают особенности оптических свойств, связанные со структурой и морфологией пленок. Обнаружены поверхностные плазмон-поляритоны, а также локальные плазмоны, возбуждаемые $s$- и $p$-поляризованным излучением, определены их частотные и релаксационные свойства. Установлена структурная чувствительность методики исследования поверхностного плазмонного резонанса для пленок диоксида олова.

Поступила в редакцию: 11.04.2011
Принята в печать: 16.04.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:11, 1467–1473

Реферативные базы данных:

•