Эта публикация цитируется в 4 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Осцилляции Шубникова–де-Гааза и де-Гааза–ван Альфена в кремниевых наноструктурах

Н. Т. Баграев^a, Е. С. Брилинская^b, Д. С. Гец^a, Л. Е. Клячкин^a, А. М. Маляренко^a, В. В. Романов<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Зависимости продольного сопротивления и статической магнитной восприимчивости от магнитного поля, перпендикулярного плоскости сверхузкой кремниевой квантовой, ограниченной $\delta$-барьерами, сильно легированными бором, демонстрируют соответственно осцилляции Шубникова–де-Гааза и де-Гааза–ван Альфена при высоких температурах в слабых магнитных полях. Полученные результаты свидетельствуют о реализации в этих условиях приближения сильного поля, $\mu B\gg$ 1, благодаря малой эффективной массе двумерных тяжелых дырок, что подтверждается измерениями температурных зависимостей осцилляций де-Гааза–ван Альфена.

Поступила в редакцию: 19.05.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:11, 1447–1452

Реферативные базы данных:

•