RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 11, страницы 1489–1497 (Mi phts8679)

Эта публикация цитируется в 25 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Спинодальный распад четверных твердых растворов Ga$_x$In$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$

П. В. Серединa, А. В. Глотовa, В. Е. Терноваяa, Э. П. Домашевскаяa, И. Н. Арсентьевb, Л. С. Вавиловаb, И. С. Тарасовb

a Воронежский государственный университет
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методами рентгеноструктурного анализа, растровой электронной и атомно-силовой микроскопии и фотолюминесцентной спектроскопии показана возможность получения на поверхности жидкофазных эпитаксиальных гетероструктур мелкомасштабной доменной структуры, возникающей в результате спинодального распада четверного твердого раствора Ga$_x$In$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$ по причине несмешиваемости его компонентов и релаксации параметра его кристаллической решетки к окружающим слоям.

Поступила в редакцию: 25.04.2011
Принята в печать: 29.04.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:11, 1433–1440

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026