В. П. Кузнецов, М. В. Степихова, В. Б. Шмагин, М. О. Марычев, Н. А. Алябина, М. В. Кузнецов, Б. А. Андреев, А. В. Корнаухов, О. Н. Горшков, З. Ф. Красильник, “Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм от структуры Si : Er/Si, состоящей из ряда $p$–$n$-переходов”, Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 11,страницы 1486

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм от структуры Si : Er/Si, состоящей из ряда $p$–$n$-переходов

В. П. Кузнецов^ab, М. В. Степихова^b, В. Б. Шмагин^b, М. О. Марычев^c, Н. А. Алябина^a, М. В. Кузнецов^a, Б. А. Андреев^b, А. В. Корнаухов^a, О. Н. Горшков^a, З. Ф. Красильник^b

^a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
^b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Демонстрируется способ соединения нескольких $p^+$–$n$-переходов в одной структуре Si : Er/Si, позволяющий увеличить интенсивность электролюминесценции на длине волны 1.54 мкм. Структуры выращены методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии.

Поступила в редакцию: 12.04.2011
Принята в печать: 18.04.2011