О. С. Комков, А. Н. Семенов, Д. Д. Фирсов, Б. Я. Мельцер, В. А. Соловьев, Т. В. Попова, А. Н. Пихтин, С. В. Иванов, “Оптические свойства эпитаксиальных слоев твердых растворов Al$_x$In$_{1-x}$Sb”, Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 11,страницы 1481

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Оптические свойства эпитаксиальных слоев твердых растворов Al$_x$In$_{1-x}$Sb

О. С. Комков^a, А. Н. Семенов^b, Д. Д. Фирсов^a, Б. Я. Мельцер^b, В. А. Соловьев^b, Т. В. Попова^b, А. Н. Пихтин^a, С. В. Иванов^b

^a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», 197376 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведены оптические исследования ненапряженных слоев узкозонных полупроводниковых твердых растворов Al$_x$In$_{1-x}$Sb, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках полуизолирующего GaAs с использованием буферного слоя AlSb. Состав твердых растворов изменялся в пределах $x$ = 0–0.52 и контролировался методом рентгеноспектрального микроанализа. Ширина запрещенной зоны $E_g$ определялась по краю фундаментального поглощения с учетом непараболичности зоны проводимости. Уточненный коэффициент нелинейности полученной зависимости $E_g(x)$ для Al$_x$In$_{1-x}$Sb составил 0.32 эВ, что на 0.11 эВ ниже общепринятого значения.

Поступила в редакцию: 28.04.2011
Принята в печать: 11.05.2011