Эта публикация цитируется в 1 статье

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Особенности и природа полосы фотолюминесценции 890 нм, обнаруженной после низкотемпературного отжига пленок SiO$_x$

Н. А. Власенко, Н. В. Сопинский, Е. Г. Гуле, Э. Г. Манойлов, П. Ф. Олексенко, Л. И. Велигура, М. А. Мухльо

Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев

Аннотация: В спектре фотолюминесценции пленок SiO$_x$ ($x\approx$ 1.3), нанесенных термическим испарением SiO и отожженных на воздухе при 650–1150$^\circ$C, обнаружена полоса с максимумом при 890 нм. Эта полоса появляется после низкотемпературного ($\sim$650$^\circ$C) отжига и имеет следующие особенности: 1) положение ее максимума не изменяется при повышении температуры отжига до 1150$^\circ$C, а интенсивность при этом возрастает в $\sim$100 раз; 2) влияние на ее интенсивность атмосферы отжига (воздух, вакуум), длины волны и плотности мощности возбуждающего света иное, чем для наблюдаемых известных полос в области 600–650 и 700–800 нм; 3) фотолюминесценция затухает вначале быстро, а затем значительно медленнее с соответствующим временем жизни $\sim$9 и $\sim$70 мкс. Выявленные особенности не согласуются с интерпретацией наблюдавшейся до сих пор фотолюминесценции пленок SiO$_x$, а именно: рекомбинационные переходы “зона-дефекты матрицы” и между хвостами зонных состояний, фотолюминесценция нанокластеров Si, внутриионные переходы в примесных редкоземельных ионах. Поэтому рассматривается возможность объяснения полосы 890 нм переходами в локальных центрах с двух- и(или) трех-координированными по кислороду ионами Si, т. е. так, как объясняют люминесценцию стекол и пленок SiO$_2$ с небольшим дефицитом кислорода.

Поступила в редакцию: 12.04.2011
Принята в печать: 18.04.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:11, 1414–1419

Реферативные базы данных:

•