RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 11, страницы 1459–1463 (Mi phts8673)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Электронные свойства полупроводников

Низкотемпературные исследования химически осажденных пленок твердых растворов замещения на основе селенидов свинца и олова (II)

В. Ф. Марков, Х. Н. Мухамедзянов, Л. Н. Маскаева, З. И. Смирнова

Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург

Аннотация: Проведены исследования фотоэлектрических характеристик пленок твердого раствора Pb$_{0.902}$Sn$_{0.098}$Se на основе четырехслойной композиции (SnSe–PbSe)$_2$, полученной методом послойного гидрохимического синтеза с последующей термической обработкой на воздухе в интервале температур 523–700 K. Измерения проводились при температурах 220–300 K. Определены значения термической и оптической ширины запрещенной зоны, температурного коэффициента оптической ширины запрещенной зоны, темнового сопротивления, вольт-ваттной чувствительности и спектральные характеристики. Установлено, что при температурах термообработки ниже 573 K проводимость четырехслойных композиций (SnSe–PbSe)$_2$ имеет металлический характер, а при более высоких температурах термообработки – полупроводниковый с проводимостью $p$-типа.

Поступила в редакцию: 19.04.2011
Принята в печать: 29.04.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:11, 1404–1407

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026