Эта публикация цитируется в 14 статьях

Электронные свойства полупроводников

Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов FeIn$_2$S$_4$

И. В. Боднарь, С. А. Павлюковец

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220013 Минск, Беларусь

Аннотация: Методом Бриджмена из расплава выращены монокристаллы тройного соединения FeIn$_2$S$_4$. Определены состав и структура полученных монокристаллов. На выращенных монокристаллах исследованы спектры пропускания в области края собственного поглощения в интервале температур $T$ = 20–300 K. По спектрам пропускания определена ширина запрещенной зоны $E_g$ и построена ее температурная зависимость. Показано, что $E_g(T)$ имеет вид, характерный для сложных соединений.

Поступила в редакцию: 14.03.2011
Принята в печать: 21.03.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:11, 1395–1398

Реферативные базы данных:

•