RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 11, страницы 1446–1449 (Mi phts8670)

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Электронные свойства полупроводников

Электрические свойства монокристаллов PbTe с избытком теллура

Г. З. Багиева, Н. Б. Мустафаев, Г. Дж. Абдинова, Д. Ш. Абдинов

Институт физики им. Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана, AZ-1143 Баку, Азербайджан

Аннотация: Исследованы влияния избыточных атомов Te (до 0.1 ат%) и термической обработки при 473 и 573 K в течение 120 ч на электропроводность $\sigma$, коэффициенты термоэдс $\alpha$ и Холла $R$ монокристаллов PbTe. Показано, что избыточные атомы Te и отжиг существенно влияют на значения и характер температурных зависимостей этих параметров, а также на знак $\alpha$ и $R$ при низких температурах, что обусловлено акцепторным действием избыточных атомов теллура и образованием антиструктурных дефектов в результате размещения атомов Te при отжиге в вакансиях подрешетки свинца.

Поступила в редакцию: 29.03.2011
Принята в печать: 16.04.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:11, 1391–1394

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026