Эта публикация цитируется в 19 статьях

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Суперионная проводимость, эффекты переключения и памяти в кристаллах TlInSe$_2$ и TlInTe$_2$

Р. М. Сардарлы^a, О. А. Самедов^a, А. П. Абдуллаев^a, Ф. Т. Салманов^a, О. З. Алекперов^b, Э. К. Гусейнов^b, Н. А. Алиева<sup>b

a</sup> Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, AZ-1143 Баку, Азербайджан
^b Институт физики НАН Азербайджана, AZ-1143 Баку, Азербайджан

Аннотация: Изучены температурные зависимости электропроводности $\sigma(T)$, а также эффекты переключения и памяти в одномерных монокристаллах TlInSe$_2$ и TlInTe$_2$. На зависимости $\sigma(T)$ выше температуры 333 K обнаружена особенность, которая связывается с переходом кристаллов в состояние с суперионной проводимостью. Предложенный механизм ионной проводимости связывается с дифузией ионов Tl$^+$ по вакансиям в подрешетке таллия между наноцепочками (nanorods) (In$^{3+}$Te$_2^{-2}$)- и (In$^{3+}$Se$_2^{-2}$)-. Обнаружены эффекты $S$-образного переключения и памяти в кристаллах TlInSe$_2$ и TlInTe$_2$, а также осцилляции напряжения в области отрицательного дифференциального сопротивления. Делается предположение, что эффект переключения и осцилляции напряжения связаны с переходом кристаллов в суперионное состояние, сопровождаемое “плавлением” подрешетки Tl. Обнаружен эффект индуцированного электрическим полем перехода кристаллов TlInSe$_2$ и TlInTe$_2$ в суперионное состояние.

Поступила в редакцию: 05.04.2011
Принята в печать: 15.04.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:11, 1387–1390

Реферативные базы данных:

•