RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 10, страницы 1431–1438 (Mi phts8668)

Эта публикация цитируется в 20 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Анализ условий срыва генерации мод резонатора Фабри–Перо в полупроводниковых лазерах с полосковым контактом

С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Д. А. Винокуров, А. Л. Станкевич, А. Ю. Лешко, Н. А. Пихтин, В. В. Забродский, И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы излучательные характеристики полупроводниковых лазеров с полосковой геометрией контакта, работающих в условиях срыва генерации мод резонатора Фабри–Перо. Установлено, что обратимое выключение генерации мод резонатора Фабри–Перо связано с переходом в режим генерации замкнутой моды. Излучательные характеристики замкнутой моды определяются модовой структурой с близкими к нулю потерями на выход излучения, захватывающей весь кристалл. Основными условиями выполнения порога генерации замкнутой моды являются снижение межзонного поглощения в пассивной области и увеличение модального усиления на линии генерации замкнутой моды. Показано, что снижение межзонного поглощения в пассивной области может быть обеспечено как спонтанным излучением из области инжекции, так и фотонами лазерных мод. Рост модального усиления на линии генерации замкнутой моды обеспечивается смещением энергетических минимумов зоны проводимости и максимумов валентной зоны области инжекции относительно энергетических зон пассивной области.

Поступила в редакцию: 05.04.2011
Принята в печать: 11.04.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:10, 1378–1385

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026