Эта публикация цитируется в 14 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки высотой 1.1 эВ

П. А. Иванов, И. В. Грехов, О. И. Коньков, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, Т. В. Семенов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Измерены и проанализированы вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки высотой $\sim$1.1 эВ. Прямые вольт-амперные характеристики в диапазоне температур 295–470 K оказались близкими к “идеальным”. Обратные вольт-амперные характеристики при напряжениях до 2 кВ в диапазоне температур 361–470 K хорошо описываются в модели термоэлектронной эмиссии, если дополнительно учесть понижение высоты барьера с ростом изгиба зон в полупроводнике.

Поступила в редакцию: 28.03.2011
Принята в печать: 11.04.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:10, 1374–1377

Реферативные базы данных:

•