Эта публикация цитируется в 5 статьях

Физика полупроводниковых приборов

К вопросу радиационной стойкости SiC-детекторов ядерного излучения в условиях повышенных рабочих температур

А. М. Иванов, А. В. Садохин, Н. Б. Строкан, А. А. Лебедев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Отмечается, что благодаря глубокой компенсации проводимости карбида кремния, возникающей при воздействии радиации, в захвате неравновесного заряда в детекторах происходит преобладание локализации (прилипания) носителей над рекомбинацией. Это позволяет, повышая температуру, снижать время удержания носителя заряда центром захвата до значений, меньших времени формирования сигнала электроникой. Для случая дефектов структуры, создаваемых протонами с энергией 6.5 МэВ, проведена оценка значений температуры, исключающей деградацию сигнала детектора за счет локализации носителей заряда. Определены величины возникающего генерационного тока, шумы которого могут ограничивать работу детектора в режиме спектрометрии.

Поступила в редакцию: 22.03.2011
Принята в печать: 28.03.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:10, 1369–1373

Реферативные базы данных:

•