Эта публикация цитируется в 3 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Лазеры с сильнонапряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на длине волны 1220 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs

Д. А. Винокуров, В. А. Капитонов, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, А. Л. Станкевич, В. В. Шамахов, А. Д. Бондарев, Л. С. Вавилова, И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведены фотолюминесцетные исследования гетероструктур с активной областью, состоящей из квантовой ямы Ga$_{0.59}$In$_{0.41}$As, помещенной между компенсирующими слоями GaAs$_{1-y}$P$_y$. Показано, что с увеличением содержания фосфора P в компенсирующих слоях можно получить нерелаксированную гетероструктуру с квантовой ямой Ga$_{0.59}$In$_{0.41}$As большей толщины. На основании фотолюминесцентных исследований выбраны параметры составной активной области для обеспечения максимальной длины волны излучения. Методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs выращены лазерные гетероструктуры с активной областью, состоящей из сильнонапряженной квантовой ямы Ga$_{0.59}$In$_{0.41}$As, помещенной между компенсирующими слоями GaAs$_{0.85}$P$_{0.15}$. Изготовлены мезаполосковые лазерные диоды с апертурой 100 мкм, излучающие на длине волны 1220 нм. Максимальная мощность излучения в непрерывном режиме генерации для лазерных диодов составила 2 Вт на зеркало.

Поступила в редакцию: 14.03.2011
Принята в печать: 21.03.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:10, 1364–1368

Реферативные базы данных:

•