Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Моделирование оптических свойств кремниевых солнечных элементов, текстурированных V-образными проникающими канавками

Г. Г. Унтила, А. П. Палов, А. Ю. Поройков, Т. В. Рахимова, Ю. А. Манкелевич, Т. Н. Кост, А. Б. Чеботарева, В. В. Дворкин

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына

Аннотация: Проведены расчеты коэффициентов отражения $(R)$, пропускания $(T)$ и поглощения $(A)$ света для двух длин волн $\lambda$ = 1000 и 1100 нм кремниевыми пластинами толщиной $t$ = 50, 100 и 200 мкм, текстурированных проникающими V-образными канавками различной геометрии: варьировали полуширину основания канавки $w$ (10, 20, 30 мкм) и высоту канавки $d (0\le d\le t)$. Если для $\lambda$ = 1100 нм при увеличении аспектного отношения $d/w$ кривая поглощения $A(d/w)$ непрерывно растет с 6.6 до 67.6%, то для $\lambda$ = 1000 нм обнаружена нетривиальная зависимость $A(d/w)$: коэффициент поглощения сначала растет от 54%, достигает максимума 97% при $d/w$ = 3, а затем уменьшается при $d>t/2$, причем для всех значений $w$. Этот эффект уменьшения поглощения с ростом $d/w$ отличает текстурирование проникающими канавками от обычного поверхностного текстурирования. Получены распределения углов отклонения фотонов в плоскости дна канавок, представляющие собой набор $\delta$-функций.

Поступила в редакцию: 22.02.2011
Принята в печать: 11.03.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:10, 1357–1363

Реферативные базы данных:

•