В. Г. Тихомиров, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, Ю. В. Соловьев, А. Г. Гладышев, М. М. Кулагина, В. Е. Земляков, К. В. Дудинов, В. Б. Янкевич, А. В. Бобыль, В. М. Устинов, “Исследование влияния параметров затворной области на статические характеристики полевых СВЧ-транзисторов на основе псевдоморфных гетероструктур AlGaAs–InGaAs–GaAs”, Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 10,страницы 1405

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Исследование влияния параметров затворной области на статические характеристики полевых СВЧ-транзисторов на основе псевдоморфных гетероструктур AlGaAs–InGaAs–GaAs

В. Г. Тихомиров^a, Н. А. Малеев^bc, А. Г. Кузьменков^bc, Ю. В. Соловьев^d, А. Г. Гладышев^cd, М. М. Кулагина^b, В. Е. Земляков^e, К. В. Дудинов^e, В. Б. Янкевич^a, А. В. Бобыль^b, В. М. Устинов^b

^a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
^d Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
^e Государственное научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская обл.

Аннотация: Рассмотрены результаты численного моделирования и экспериментального исследования влияния параметров затворной области на статические характеристики полевых СВЧ-транзисторов на основе псевдоморфных гетероструктур AlGaAs-InGaAs-GaAs ($p$-HEMT). Продемонстрирована возможность корректного моделирования статических характеристик реальных приборных конструкций $p$-HEMT-транзисторов с использованием программного пакета TCAD фирмы SILVACO. Показана принципиальная необходимость использования селективного травления затворной канавки для контролируемого и воспроизводимого получения требуемых приборных характеристик.

Поступила в редакцию: 15.02.2011
Принята в печать: 25.02.2011