Г. А. Бордовский, П. В. Гладких, М. Ю. Кожокарь, А. В. Марченко, П. П. Серегин, Е. И. Теруков, “Примесные центры олова в стеклообразных халькогенидах германия”, Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 10,страницы 1399

Эта публикация цитируется в 1 статье

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Примесные центры олова в стеклообразных халькогенидах германия

Г. А. Бордовский^a, П. В. Гладких^a, М. Ю. Кожокарь^a, А. В. Марченко^a, П. П. Серегин^a, Е. И. Теруков^b

^a Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Атомы олова, образующиеся после радиоактивного распада примесных атомов $^{119mm}$Sn и $^{119}$Sn в структуре стекол Ge$_x$S$_{1-x}$ и Ge$_x$Se$_{1-x}$, стабилизируются в виде ионов Sn$^{2+}$, Sn$^{4+}$ и отвечают ионизованным состояниям амфотерного двухэлектронного центра с отрицательной корреляционной энергией (Sn$^{2+}$ является ионизованным акцептором, а Sn$^{4+}$ – ионизованным донором), тогда как нейтральное состояние центра Sn$^{3+}$ оказывается нестабильным. Атомы $^{119}$Sn, образующиеся после радиоактивного распада примесных атомов $^{119m}$Te в структуре стекол Ge$_x$S$_{1-x}$ и Ge$_x$Se$_{1-x}$, стабилизируются как в узлах халькогенов (они электрически неактивны), так и в узлах германия.

Поступила в редакцию: 11.04.2011
Принята в печать: 15.04.2011