RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 10, страницы 1392–1398 (Mi phts8661)

Эта публикация цитируется в 21 статьях

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Фото- и электрофизические свойства полифенилхинолинов, содержащих фрагменты карбазола или индоло[3,2-b]карбазола – новых материалов для оптоэлектроники

В. М. Светличныйa, Е. Л. Александроваb, Л. А. Мягковаa, Н. В. Матюшинаa, Т. Н. Некрасоваa, Р. Ю. Смысловa, А. Р. Тамеевc, С. Н. Степаненкоa, А. В. Ванниковc, В. В. Кудрявцевa

a Институт высокомолекулярных соединений РАН, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Институт физической химии и электрохимии им. А. Н. Фрумкина РАН, г. Москва

Аннотация: Исследованы фото- и электрофизические свойства новых синтезированных 2,6-полифенилхинолинов, содержащих между хинолиновыми циклами кислородную или фениламинную мостиковую группу, а в качестве ариленового радикала – алкилированные производные карбазола или индоло[3,2-b]карбазола. Показано, что для новых полифенилхинолинов светочувствительность составляет 10$^4$–10$^5$ см$^2$/Дж, а квантовый выход фотогенерации свободных носителей заряда достигает 0.15. При этом значения фотофизических характеристик увеличиваются как при замене кислородной мостиковой группы на фениламинную, так и при переходе от карбазола к индолокарбазолу. Обнаружено, что пленка полифенилхинолина, содержащего в элементарном звене полимера кислородную мостиковую группу и алкилкарбазольный фрагмент, обладает “белой” люминесценцией. В пленках всех изученных полимеров обнаружен как электронный, так и дырочный транспорт с подвижностью на уровне 10$^{-6}$ см$^2$/(В $\cdot$ с), причем, варьируя химической структурой мостиковой группы (кислородная или фениламинная) между фенилхинолиновыми циклами и выбирая в качестве ариленового радикала производные карбазола или индоло[3,2-b]карбазола, можно управлять величиной и типом проводимости.

Поступила в редакцию: 17.03.2011
Принята в печать: 28.03.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:10, 1339–1345

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026