Эта публикация цитируется в 9 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Интерфейсная электролюминесценция в изотипном гетеропереходе II типа InAs/InAsSbP при комнатной температуре

М. М. Григорьев, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Впервые продемонстрирована интерфейсная люминесценция на одиночной гетерогранице II типа в системе соединений InAs/InAsSbP при комнатной температуре. Экспериментально подтверждено, что одиночная гетероструктура InAs/InAsSbP является ступенчатым гетеропереходом II типа. В гетероструктуре $n$-InAs/$n$-InAsSbP образование электронного канала на гетерогранице на стороне $n$-InAs не приводило к возникновению излучательной интерфейсной люминесценции, тогда как гетероструктура $p$-InAs/$p$-InAsSbP при обратном смещении демонстрировала интерфейсную люминесценцию, обусловленную излучательными переходами дырок с заполненных поверхностных состояний, локализованных на гетерогранице. Обнаружение интенсивной интерфейсной люминесценции, соизмеримой по интенсивности с объемной, открывает новые возможности в создании многоцветных светоизлучающих диодов и интегральных оптоэлектронных матриц для среднего ИК-диапазона 3–5 мкм.

Поступила в редакцию: 11.04.2011
Принята в печать: 18.04.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:10, 1334–1338

Реферативные базы данных:

•