Эта публикация цитируется в 7 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Рассеяние и подвижность электронов в комбинированно-легированных HFET-структурах AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов

Р. А. Хабибуллин^a, И. С. Васильевский^a, Г. Б. Галиев^b, Е. А. Климов^b, Д. С. Пономарев^a, Р. А. Лунин^c, В. А. Кульбачинский<sup>c

a</sup> Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
^b Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, 117105 Москва, Россия
^c Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии были выращены структуры, отличающиеся способом и степенью легирования с высокой концентрацией двумерных электронов $n_s$ в квантовой яме. Исследовано применение комбинированного легирования, сочетающего в себе однородное и $\delta$-легирование, на электронные транспортные свойства гетероструктур. Предложен новый тип структуры с двусторонним $\delta$-легированием кремнием переходных слоев GaAs, расположенных на границах квантовой ямы. При таком легировании одновременно с высокой концентрацией электронов, $n_s$ = 1.37 $\cdot$ 10$^{13}$ см$^{-2}$, получено наибольшее значение электронной подвижности $\mu_{\mathrm{H}}$ = 1520 см$^2$/(В $\cdot$ с) при 300 K. Это связано с уменьшением рассеяния электронов на ионизированной примеси, что подтверждается проведенными расчетами.

Поступила в редакцию: 11.04.2011
Принята в печать: 11.04.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:10, 1321–1326

Реферативные базы данных:

•