Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Фотоэлектрические свойства пористых гетероструктур GaN/SiC

М. Г. Мынбаева, А. А. Ситникова, К. Д. Мынбаев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследована природа фотопроводимости, возникающей в пористых структурах, сформированных анодизацией гетероструктур GaN/SiC. На основании сопоставления фотоэлектрических, оптических, электрических и структурных свойств исходных и анодированных гетероструктур показано, что данный эффект обусловлен наличием зарядовых состояний на границе раздела между GaN и SiC, специфичных для примененных условий анодизации.

Поступила в редакцию: 30.03.2011
Принята в печать: 11.04.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:10, 1317–1320

Реферативные базы данных:

•