Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Формирование светоизлучающих наноструктур в слоях стехиометрического SiO$_2$ при облучении тяжелыми ионами высоких энергий

Г. А. Качурин^a, С. Г. Черкова^a, В. А. Скуратов^b, Д. В. Марин^ac, В. Г. Кеслер^a, В. А. Володин<sup>ac

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Объединенный институт ядерных исследований, г. Дубна Московской обл.
^c Новосибирский государственный университет

Аннотация: Термически выращенные слои SiO$_2$ облучали ионами Bi с энергией 700 МэВ дозами (3–10) $\cdot$ 10$^{12}$ см$^{-2}$. Обнаружено, что уже после дозы 3 $\cdot$ 10$^{12}$ см$^{-2}$ появляется полоса фотолюминесценции вблизи 600 нм. Ее интенсивность насыщается к дозе $\sim$5 $\cdot$ 10$^{12}$ см$^{-2}$. Природа центров излучения исследована методами инфракрасного пропускания, рамановского рассеяния, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, эллипсометрии и по реакции на пассивирующие низкотемпературные отжиги. Установлено, что облучение приводит к уменьшению числа связей Si–O в пользу связей Si–Si. Считается, что фотолюминесценция обусловлена наноструктурами, содержащими избыточный Si и(или) имеющими дефицит O. Реакция восстановления SiO$_2$ происходит в ионных треках благодаря высоким уровням ионизации и нагрева внутри них. По дозовой зависимости диаметр треков оценен как равный 8–9 нм.

Поступила в редакцию: 23.03.2011
Принята в печать: 28.03.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:10, 13111–1316

Реферативные базы данных:

•