П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, O. Korolkov, N. Sleptsuk, “Исследование $p$–$n$-переходов на основе 4H-SiC, изготовленных имплантацией бора, методом нестационарной емкостной спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 10,страницы 1358

Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Исследование $p$–$n$-переходов на основе 4H-SiC, изготовленных имплантацией бора, методом нестационарной емкостной спектроскопии

П. А. Иванов^a, А. С. Потапов^a, Т. П. Самсонова^a, O. Korolkov^b, N. Sleptsuk^b

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Tallinn University of Technology (Department of Electronics), 19086 Tallinn, Estonia

Аннотация: Методом нестационарной емкостной спектроскопии (DLTS) исследованы $p$–$n$-переходы, изготовленные имплантацией бора в эпитаксиальные пленки 4H-SiC $n$-типа проводимости с концентрацией доноров (8–9) $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-3}$. Обнаружен “аномальный” по знаку сигнал DLTS, который связывается с перезарядкой глубоких компенсирующих “борных” центров в $n$-области вблизи металлургической границы $p$–$n$-перехода.

Поступила в редакцию: 23.03.2011
Принята в печать: 28.03.2011