В. Ф. Агекян, P. O. Holtz, G. Karczewski, В. Н. Кац, Е. С. Москаленко, А. Ю. Серов, Н. Г. Философов, “Магнитолюминесценция структур CdTe/MnTe/CdMgTe с ультратонкими слоями MnTe”, Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 10,страницы 1353

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Магнитолюминесценция структур CdTe/MnTe/CdMgTe с ультратонкими слоями MnTe

В. Ф. Агекян^a, P. O. Holtz^b, G. Karczewski^c, В. Н. Кац^a, Е. С. Москаленко^d, А. Ю. Серов^a, Н. Г. Философов^a

^a Научно-исследовательский институт физики им. В. А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета
^b Институт физики Польской академии наук, 02-668 Варшава, Польша
^c Linköping University, Linköping, Sweden
^d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Выращены структуры с квантовыми ямами CdTe/MnTe/CdMgTe с одним и двумя монослоями MnTe на интерфейсах. Исследование спектральных и температурных свойств экситонной люминесценции из квантовых ям CdTe свидетельствует о том, что ультратонкие слои MnTe улучшают качество интерфейсов. Влияние магнитного поля в геометрии Фарадея на энергетическое положение максимумов экситонной люминесценции показывает, что фрустрация магнитных моментов в одном монослое MnTe слабее, чем в двух монослоях. Воздействие магнитного поля на локализацию экситонов может быть объяснено сжатием волновой функции экситона и ограничением движения фотоносителей в квантовой яме.

Поступила в редакцию: 21.03.2011
Принята в печать: 28.03.2011