Эта публикация цитируется в 4 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Основные особенности фотостимулированного переноса ионов в гетеропереходах на основе смешанных ионно-электронных (дырочных) проводников и модель тонкопленочного ионного ускорителя

А. И. Стецун, Л. А. Дворина

Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Рассмотрены основные особенности фотостимулированного переноса ионов в гетероструктурах на основе смешанных ионно-электронных (дырочных) проводников. Показано, что за счет корректного использования действия определенных физических факторов и специального дизайна для такой гетероструктуры можно реализовать эффективное ускорение ионов. Таким способом можно создать тонкопленочный ионный ускоритель.

Поступила в редакцию: 17.03.2011
Принята в печать: 28.03.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:10, 1291–1296

Реферативные базы данных:

•