RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 10, страницы 1331–1335 (Mi phts8650)

Эта публикация цитируется в 21 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Влияние примеси Sn на оптические и структурные свойства тонких кремниевых пленок

В. В. Войтовичa, В. Б. Неймашa, Н. Н. Краськоa, А. Г. Колосюкa, В. Ю. Поварчукa, Р. М. Руденкоb, В. А. Макараb, Р. В. Петруняb, В. О. Юхимчукc, В. В. Стрельчукc

a Институт физики НАН Украины, г. Киев
b Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, физический факультет
c Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Исследовано влияние примеси олова на структуру и оптические свойства тонкопленочного аморфного кремния. Установлено, что примесь олова ускоряет процесс кристаллизации аморфного кремния. Уже непосредственно после осаждения пленки на подложку ($\sim$300$^\circ$C) в образцах с оловом присутствует кристаллическая фаза кремния. Высоковакуумный отжиг (350–750$^\circ$C) приводит к росту кристаллической фазы в пленках с оловом (размер нанокристаллов возрастает от $\sim$3.0 до 4.5 нм). В то же время в пленках без олова происходит лишь увеличение степени ближнего порядка. Кремниевая пленка без олова остается аморфной во всем интервале температур отжига.

Поступила в редакцию: 31.01.2011
Принята в печать: 16.03.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:10, 1281–1285

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026