RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 10, страницы 1323–1330 (Mi phts8649)

Эта публикация цитируется в 41 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Ширина запрещенной зоны кристаллов CdTe и Cd$_{0.9}$Zn$_{0.1}$Te

Л. А. Косяченко, В. М. Склярчук, О. В. Склярчук, О. Л. Маслянчук

Черновицкий национальный университет, 58012 Черновцы, Украина

Аннотация: Оптическими методами определена ширина запрещенной зоны $E_g$ кристаллов CdTe и Cd$_{0.9}$Zn$_{0.1}$Te, а также ее температурная зависимость. Это мотивировано значительной разноречивостью литературных данных, затрудняющих интерпретацию и расчет характеристик детекторов $X$- и $\gamma$-излучения на основе этих материалов ($E_g$ = 1.39–1.54 и 1.51–1.6 эВ для CdTe и Cd$_{0.9}$Zn$_{0.1}$Te соответственно). Используемая методика определения $E_g$ проанализирована с точки зрения влияния факторов, приводящих к неточностям определения ее значения. Измерения проведены на хорошо очищенных и совершенных образцах. Полученные данные для CdTe ($E_g$ = 1.47–1.48 эВ) и Cd$_{0.9}$Zn$_{0.1}$Te ($E_g$ = 1.52–1.53 эВ) при комнатной температуре существенно сужают интервал точности определения значений $E_g$.

Поступила в редакцию: 15.03.2011
Принята в печать: 21.03.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:10, 1273–1280

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026